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UP12就是12M的平均写速度,再快出也不会超过12M,除非它是SLC的闪存
介
Phison PS2231 USB-to-Flash微控制IC可支援50+奈米快闪记忆体,且是支援Windows Vista ReadyBoost的最佳解决方案。透过内建256-bit AES与512-bit RSA加密功能,PS2231可提供成品与快闪记忆体最高级的安全防护。由于采用Programmable RAM,韧体可以随时进行更新,此功能使得成品的设计能够更加弹性。这颗晶片适用于USB快闪记忆体随身碟、USB Disk-On-Module,以及PC主机板、UMPC和其他可携式产品的嵌入式应用。
重点规格
支援USB 2.0与1.1规格之介面
与PS2134、PS2135、PS2136 pin-to-pin
内建6/12-bit ECC circuit (BCH)
内建512-bit RSA加密功能
内建256-bit AES加密功能
支援50+奈米快闪记忆体
采用Program RAM (韧体可更新)
SLC快闪记忆体读/写速度可达35/26 MB/s
MLC快闪记忆体读/写速度可达31/12 MB/s
通过Windows Vista认证并可支援ReadyBoost
可搭配单一颗MLC快闪记忆体支援ReadyBoost
特色
采用0.16微米CMOS制程
采用64-Pin/48-pin QFP封装方式
采用Program RAM (韧体可更新)
适用电压:2.7~3.6V
内建支援3.3V/1.8V快闪记忆体I/O介面的调节器 O
USB介面
支援Master SPI (Serial Peripheral Interface),便于弹性化的应用
12MHz crystal driver circuit
整合相容于80C51的8-bit微处理器
NAND快闪记忆体支援
支援50+奈米快闪记忆体
最高可支援达8 CE pins
支援1x8与2x8快闪记忆体I/O
支援SLC Large Block (512/2k/4k page)NAND快闪记忆体
支援MLC Large Block (512/2k/4k page)NAND快闪记忆体
SLC快闪记忆体读/写速度高达34/23 MB/s
MLC快闪记忆体读/写速度高达31/10 MB/s
其他
内建静态与动态wear-leveling
省电模式
支援VID, PID, 序号与卖方资讯更新
支援256-bit AES与512-bit RSA高阶安全储存模式
支援多个分割储存区与隐藏模式
[ 本帖最后由 l1982012800 于 2008-2-29 11:15 PM 编辑 ] |
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